ICP-CVD 성균관대학교 기계공학부 김태성 교수님 연구실에서 사용하고 있습니다.

ICP-CVD: Substrate 온도가 Max. 400도, 고밀도 Plasma를 사용하여 화학증착하는 장비입니다.

Uniformity: ≤±5%

Substrate Size: Min. 4 ~ Max. 8 Inch

연구용 플라즈마 및 진공 장비를 제작하는 업체 중에 반도체 양산 장비를 제작하는 기업에 ICP type의 Plasma Source Module 납품하고 연구용 장비를 제작하는 업체는 올포시스템이 유일 할 곳 입니다.

저가격 고효율의 연구용 Plasma System을 제작하고 있습니다.

연구용 장비 선정시 참조하시기 바랍니다.

문의사항이 있으시면 부담없이 언제든지 연락주세요!

팀장 강신석

010-4064-6650